南航用納米技術研發(fā)出半導體特性的硫化五鉬納米帶
2013年05月24日 14:1 5350次瀏覽 來源： 南京航空航天大學 分類： 新技術
南京航空航天大學納米科學研究所與東南大學、南京大學和浙江大學科研團隊合作開展的納米制造技術研究取得突破，生成了0.35納米寬的尺寸均一、具有半導體特性的高強韌的四硫化五鉬納米帶。
研究還顯示：二硫化鎢、二硒化鉬等二硫屬過渡族金屬化合物二維原子晶體材料都具有類似的可加工性能。這有望將自上而下的納米制造技術從10納米以上突破到亞納米級，提供了納米制造技術向亞納米級發(fā)展的一個新途徑。該研究成果已在《自然-通訊》雜志發(fā)表。
近半個多世紀以來，精細化制造一直是科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的強大推動力。尤其是隨著半導體產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展，以光刻、電子束刻蝕等能量束刻蝕技術為主的自上而下的主流納米制造技術已經(jīng)突破了20納米節(jié)點，最前沿的技術正在漸漸向10納米分辨率趨近，但要達到可控制造10納米特征尺寸的結構尚面臨巨大挑戰(zhàn)。
責任編輯：安子
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